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元器件采购网 > I-751页 > FET - 单IXTQ30N60L2

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IXTQ30N60L2

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IXTQ30N60L2参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 30A 600V TO-3P
包装数量:30
包装形式:管件
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):240 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):335nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10700pF @ 25V
功率 - 最大值:540W
安装类型:通孔

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